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李旺; 唐鹿; 田娅晖; 薛飞; 辛增念; 潘胜浆;
江西科技学院协同创新中心,南昌330098;
宁波山迪光能技术有限公司,余姚315380;
太阳能电池; P-N结; 磷掺杂; 扩散; 掺杂浓度; 光电转换; 转换效率;
机译:反应离子刻蚀回蚀工艺在选择性发射极c-Si太阳能电池中浅发射极结的掺杂轮廓效应
机译:O_2退火环境流速对丝网印刷磷扩散工艺形成的n +发射极结的结构和电性能的影响
机译:丝网印刷的大面积双面N型背结硅太阳能电池,具有选择性的磷前表面场和硼掺杂的多晶硅/ SiO_x钝化后发射极
机译:低损耗低Na高度Yb掺杂铝磷硅基磷硅基磷硅基磷硅基磷硅基磷硅基磷酸盐纤维的制备
机译:带有旋涂掺杂剂的微米和纳米柱上浅p-n结的形成,用于太阳能电池。
机译:基于低温浅磷掺杂的径向p-n结硅纳米线太阳能电池的实现
机译:低掺杂表面浓度的发射极上的印刷触点
机译:离子注入掺杂工艺实现p-N结太阳能电池
机译:用磷掺杂半导体以产生P-N结的方法
机译:具有p-n结的磷掺杂的硅半导体
机译:扩散工艺生产低表面浓度的镓掺杂硅层
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