一种增强低介电材料对TiN硬掩模刻蚀选择性的方法

摘要

本发明提供一种能够有效地增强低介电材料对TiN硬掩模刻蚀选择性的方法，将光刻胶剥离的操作划分为两个步骤，在第一步骤中利用O₂/CO/CO₂的等离子体进行刻蚀，直到接近TiN硬掩模的表面而使该表面不会暴露的位置，在第二步骤中则改用含氮（不含氧）的等离子体进行过刻蚀，将光刻胶等的剩余部分全部去除，使得TiN硬掩模的表面不会被氧化，保证了TiN硬掩模表面的氮含量。因此，在后续利用碳氟化合物的等离子体刻蚀形成沟道时，能够获得稳定的、相比原先使用O₂/CO/CO₂等离子体时相对较慢的刻蚀速率，从而提高低介电材料对TiN硬掩模的选择性，改善沟道刻蚀的效果。