CRYSTAL DEFECTS; CRYSTAL GROWTH; CRYSTALLINITY; SEMICONDUCTORS (MATERIALS); MASKS; SILICON; SUBSTRATES; VAPOR DEPOSITION;
机译:低温水溶液上六角形缓冲层上ZnO层的侧向外延过度生长
机译:在蜂窝图案结构上使用连续流动反应器用于低位锁定密度ZnO层的水横向外延过度生长
机译:图案化的缓冲层促进了低温下水溶液中低位错密度ZnO薄膜的无掩模横向外延生长
机译:通过非常薄的SiO_2面罩直接在条纹图案蓝宝石基板上直接的杂交横向过度生长。
机译:通过金属有机化学气相沉积,图案相关的氮化镓横向外延过度生长。
机译:使用两步横向外延过生长过滤半极性(11-22)GaN中的缺陷
机译:纳米开口上Si上InP的外延横向过度生长:整个生长层中缺陷过滤的理论和实验指示