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用于VDMOS器件可靠性测试的双列直插陶瓷底座

摘要

本实用新型公开了一种用于VDMOS器件可靠性测试的双列直插陶瓷底座,包括金属引脚、金属底板、金属片,所述金属片通过金属片的金属连线与金属引脚连接,所述金属底板的每个侧面与位于该侧面外的金属片远离金属引脚的一端在横向上留有间隙,所述金属底板的每个侧面均通过若干金属底板的金属连线与金属引脚连接。本实用新型缩小金属底板的面积,在纵向错层中增加金属连线实现VDMOS的漏端通过金属底板与金属底板连接,进而实现VDMOS在双列直插陶瓷底座的封装以及进行HTRB等可靠性测试,并且金属底板与金属引脚之间的金属连线在不需要的情况下可以通过物理方式断开,从而避免金属底板与金属片在金属引脚上的短路,保证VDMOS在陶瓷底座上的漏端引出端的独立性。

著录项

  • 公开/公告号CN202994834U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2013-06-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华虹NEC电子有限公司;

    申请/专利号CN201220588508.4

  • 发明设计人 范曾轶;廖炳隆;储征毓;罗晶;

    申请日2012-11-09

  • 分类号G01R1/04(20060101);

  • 代理机构31211 上海浦一知识产权代理有限公司;

  • 代理人丁纪铁

  • 地址 201206 上海市浦东新区川桥路1188号

  • 入库时间 2022-08-21 23:48:42

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-01-04

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01R1/04 授权公告日:20130612 终止日期:20151109 申请日:20121109

    专利权的终止

  • 2014-01-29

    专利权的转移 IPC(主分类):G01R1/04 变更前: 变更后: 登记生效日:20131231 申请日:20121109

    专利申请权、专利权的转移

  • 2013-06-12

    授权

    授权

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