公开/公告号CN202796956U
专利类型实用新型
公开/公告日2013-03-13
原文格式PDF
申请/专利权人 中国电子科技集团公司第五十八研究所;
申请/专利号CN201220412453.1
申请日2012-08-17
分类号
代理机构无锡市大为专利商标事务所;
代理人殷红梅
地址 214035 江苏省无锡市惠河路5号
入库时间 2022-08-21 23:43:41
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-03-13
授权
授权
机译: 制造完全耗尽型绝缘体上硅(FD-SOI)和部分耗尽型绝缘体上硅(PD-SOI)器件的方法
机译: 完全耗尽型绝缘体上硅(FD-SOI)和部分耗尽型绝缘体上硅(PD-SOI)组合器件
机译: 用于集成在SOI衬底上的电子设备的防静电放电(ESD)保护结构以及相应的集成工艺