一种抑制栅源短路失效的MOSFET场效应管

摘要

一种抑制栅源短路失效的MOSFET场效应管，其包括单晶硅衬底层，生长在衬底层主表面的外延层，扩散在外延层内的阱区，及位于阱区内的左右对称的源区，阱区及源区为外延层的主表面的一部分，在外延层主表面设置有栅氧化层，在栅氧化层表面形成有多晶硅栅，在多晶硅栅上积淀有钝化层及金属层，栅氧化层及多晶硅栅至少面对源区和阱区；在多晶硅栅与钝化层之间设置有包覆多晶硅栅表面及四周侧壁的包覆层。包覆层可对多晶硅栅整体进行保护，同时可以修复刻蚀以及离子注入后形成的各类缺陷，从而有效抑制栅源级短路失效形成。