一种基于短路电流抑制的SiC MOSFET短路保护电路及方法

摘要

本发明提供一种SiC MOSFET一类短路电流抑制电路及方法，包括：逻辑控制单元，驱动单元，短路保护单元以及漏极电压检测单元。本发明通过判断漏极电压是否下降至导通压降来选择开通瞬态的栅极驱动电压，当发生一类短路时，栅极将被钳位在较低的驱动电压，依据功率器件的输出特性，短路电流将被抑制，从而降低了短路故障对器件的冲击，减小了短路损耗，增大了短路耐受时间。此外本发明电路不影响正常开通过程，确保了SiC MOSFET开通瞬态的快速性。