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公开/公告号CN202275827U
专利类型实用新型
公开/公告日2012-06-13
原文格式PDF
申请/专利权人 中国电子科技集团公司第五十八研究所;
申请/专利号CN201120392347.7
发明设计人 李博;封晴;田海燕;王晓玲;赵力;孙佩;
申请日2011-10-15
分类号
代理机构无锡市大为专利商标事务所;
代理人殷红梅
地址 214035 江苏省无锡市滨湖区惠河路5号
入库时间 2022-08-21 23:30:18
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-06-13
授权
机译: 在SOI衬底上制造的抗辐射高压半导体器件结构
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机译:第73章HV nLDMOS器件中的Bulk-FOX结构改进了抗ESD
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机译:用sOI(绝缘体上硅)薄膜制造的抗辐射JFET器件和CmOs电路