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一种自支撑氮化镓双异质结声电荷输运延迟线

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法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-06-11

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H03H9/42 授权公告日:20120111 终止日期:20130412 申请日:20110412

专利权的终止
2012-01-11

授权

授权

1. 一种自支撑氮化镓双异质结声电荷输运延迟线 [P] . 中国专利： CN202111669U . 2012.01.11
2. 自支撑氮化镓单异质结声电荷输运延迟线 [P] . 中国专利： CN202473927U . 2012.10.03
3. Light emitting device comprises an inverted aluminum indium gallium nitride arrangement with a hetero-junction having an emission layer arranged between an n-conducting layer and a p-conducting layer, and electrodes [P] . 德国专利： DE10213701A1 . 2002-10-10

机译：发光器件包括具有异质结的倒置的铝铟镓氮化物布置以及电极，该异质结具有在n导电层和p导电层之间布置的发射层。
4. GALLIUM NITRIDE SELF-SUPPORTING SUBSTRATE, GALLIUM NITRIDE CRYSTAL AND METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE SELF-SUPPORTING SUBSTRATE [P] . 日本专利： JP2015178438A . 2015-10-08

机译：氮化镓自支撑基质，氮化镓晶体及制造氮化镓自支撑基质的方法
5. Dual medium heterojunction acoustic charge transport multiple quantum well spatial light modulator [P] . 美国专利： US5159420A . 1992-10-27

机译：双介质异质结声电荷传输多量子阱空间光调制器