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邹英寅; 凌明芳; 陈抗生;
杭州六和塔浙江大学分部;
浙江大学电子物理技术研究所;
电荷转移器件; 声表面波器件; 延迟线;
机译:利用双电子束横向声电电压谱研究高电阻率的砷化镓表面和砷化镓/氧化物界面
机译:砷化镓砷化镓镓砷缺陷特征的密度泛函理论研究
机译:在砷化铟镓/磷化铟和砷化镓衬底上生长的自组装砷化铟纳米结构形成的有力研究
机译:扫描分子束外延生长砷化镓砷化镓研究的隧道显微镜和角度研究
机译:一,拉曼散射和X射线衍射研究对砷化镓-砷化铝超晶格中局限的LO和折叠的LA声子的退火作用。二。皮秒光散射研究砷化镓/铝(x)镓(1-x)砷化物多量子阱结构中的弛豫和隧穿
机译:光电效应加速了砷化镓晶片上的电化学腐蚀和纳米压印工艺
机译:砷化镓热导率和光学声子弛豫时间来自第一性原理计算
机译:砷化镓,磷化铟,砷化铟和锑化镓中电子和空穴高能迁移的理论研究。
机译:相对于砷化铝镓具有优异选择性的砷化镓干法蚀刻工艺
机译:砷化镓的合成中所用的砷的制备方法及用于真实工艺的装置
机译:离子注入砷化镓镓衬底的退火工艺
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