声明
致谢
摘要
1.引言
1.1 半导体技术发展
1.2 氮化镓
1.2.1 氮化镓发展历史
1.2.2 氮化镓结构性质
1.2.3 氮化镓的物理化学性质
1.3 GaN基高电子迁移率晶体管(GaN-HEMT)
1.4 本论文的研究背景
1.5 本论文的研究工作和安排
2.AlxGa1-xN/GaN异质结相关基础研究
2.1 氮化镓异质结结构
2.2 氮化镓异质结中的极化电荷
2.3 二维电子气中电子子带计算方法
2.3.1 氮化镓层中的2DEG分布
2.3.2 铝镓氮层中的2DEG分布
2.4 二维电子气浓度
2.5 本章小结
3.AlxGa1-xN/GaN HEMT散射理论
3.1 含时微扰理论
3.2 弛豫时间近似
3.3 基本散射机制
3.3.1 界面粗糙度散射
3.3.2 合金无序散射
3.3.3 极性光学声子散射
3.4 本章小结
4.AlxGa1-xN/AlN/GaN材料中的散射
4.1 AlxGa1-xN/AlN/GaN HEMT结构中的2DEG浓度
4.2 AlxGa1-xN/AlN/GaN HEMT中的界面粗糙度散射
4.3 AlxGa1-xN/AlN/GaN HEMT中的合金无序散射
4.4 AlxGa1-xN/AlN/GaN HEMT中的总迁移率
4.5 本章小结
5.结论
参考文献
作者简历
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