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公开/公告号CN2594277Y
专利类型
公开/公告日2003-12-24
原文格式PDF
申请/专利权人 北京师范大学;
申请/专利号CN03200996.8
发明设计人 吴先映;李强;张荟星;张胜基;张孝吉;
申请日2003-01-15
分类号C23C14/32;
代理机构
代理人
地址 100875 北京市新街口外大街19号
入库时间 2022-08-21 22:45:45
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2007-03-07
专利权的终止未缴年费专利权终止
2003-12-24
授权
机译: 同轴真空弧蒸气沉积源,使用相同的真空蒸气沉积装置和薄膜沉积方法
机译: 同轴真空弧蒸气沉积源和真空蒸气沉积装置
机译: 同轴真空弧蒸气沉积源和蒸气沉积装置
机译:磁控溅射沉积,等离子体离子注入和金属蒸气真空电弧源制备的薄膜光催化TiO2相
机译:磁过滤阴极真空弧源法制备纳米晶铁膜的生物相容性研究
机译:等离子体增强化学气相沉积合成超薄非晶碳膜的热稳定性,过滤的阴极真空弧
机译:通过磁过滤的阴极真空弧沉积沉积在聚甲醛基材上的金刚石碳膜
机译:两个磁控真空弧开关的动态建模。
机译:超透压带隙和高灵敏度的等离子体金属 - 绝缘子 - 金属波导过滤器具有空腔和挡板
机译:磁过滤真空电弧等离子体沉积系统
机译:用于薄膜涂层的磁光导和全电离金属/碳弧等离子体源,用于控制,磨损和微动