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在顶部金属层上形成金属-绝缘体-金属电容器

摘要

多个金属层包括顶部金属层。将超厚金属(UTM)层设置在所述顶部金属层上方,其中,没有额外的金属层定位在UTM层和顶部金属层之间。将金属-绝缘体-金属(MIM)电容器设置在UTM层下方并且设置在顶部金属层上方。本发明还公开了一种在顶部金属层上形成金属-绝缘体-金属电容器。

著录项

  • 公开/公告号CN102593096B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-04-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;

    申请/专利号CN201210012935.2

  • 发明设计人 巫昆懋;林志勋;叶玉隆;蔡冠智;

    申请日2012-01-16

  • 分类号

  • 代理机构北京德恒律师事务所;

  • 代理人陆鑫

  • 地址 中国台湾新竹

  • 入库时间 2022-08-23 09:37:27

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-04-06

    授权

    授权

  • 2012-09-19

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L23/522 申请日:20120116

    实质审查的生效

  • 2012-07-18

    公开

    公开

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