兼容CMOS的低栅电荷横向MOSFET

摘要

本发明提供一种兼容CMOS的低栅电荷横向MOSFET。分栅功率晶体管包括横向配置的功率MOSFET，其具有掺杂硅衬底，形成在衬底表面上的栅极氧化物层，以及形成在栅极氧化物层上的分开的多晶硅层。多晶硅层被切割成两个电隔离的部分，第一部分形成位于衬底的沟道区域的第一部分上方的开关栅极，第二部分形成在衬底的沟道区域的第二部分和过渡区域上方形成的静态栅极。静态极板还延伸到衬底的漂移区域上方，其中漂移区域在形成于衬底中的场氧化物填充的沟槽之下。开关电压施加到开关栅极，而恒定电压施加到静态栅极。