具有U型分离栅的低栅电荷功率MOSFET器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种具有U型分离栅的低栅电荷功率MOSFET器件及其制造方法，包括第一导电类型衬底，第一导电类型衬底上表面有第一导电类型外延层，第一导电类型外延层内有槽结构，槽结构中包含控制栅电极与分离栅电极，第一导电类型外延层上方为第二导电类型阱区，第二导电类型阱区内部上方为第二导电类型重掺杂区，控制栅电极与第二导电类型阱区由栅介质层隔开，第二导电类型阱区上方为第一导电类型重掺杂源区，本发明减小了分离栅电极与控制栅电极的耦合面积，增大了分离栅电极与控制栅电极的耦合距离，从而降低了分离栅电极与控制栅电极之间的耦合电容即栅源电容，从而实现高开关速度与低开关损耗的目标。