首页> 中国专利> 单片彩色金属氧化物半导体图像传感器及相邻行读出方法

单片彩色金属氧化物半导体图像传感器及相邻行读出方法

摘要

与CMOS技术兼容的具有两条或更多读出线新结构的单片CMOS图像传感器,可在不用外部延迟线的前提下,从相邻两行像素同时读出行信号以得到其组合。传感器包含重叠的滤色图案的像素阵列,两或多行读出的结构。读出结构包含存储像素信号的电容,从中读出信号的方法使不同行像素信号可组合。读出结构在像素阵列外,可同像素阵列做在同一CMOS芯片。采用偶数场读出偶数行、奇数场读出奇数行的高灵敏度隔行结构,器件整体灵敏度加倍。

著录项

  • 公开/公告号CN1177465C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2004-11-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 全视技术有限公司;

    申请/专利号CN00101821.3

  • 发明设计人 D·陈;T·C·许;X·何;

    申请日2000-01-29

  • 分类号H04N3/15;H04N1/028;

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人张志醒

  • 地址 美国加利福尼亚

  • 入库时间 2022-08-23 08:57:23

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-02-25

    专利权有效期届满 IPC(主分类):H04N3/15 授权公告日:20041124 申请日:20000129

    专利权的终止

  • 2017-10-20

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H04N3/15 变更前: 变更后: 申请日:20000129

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2017-10-20

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H04N 3/15 变更前: 变更后: 申请日:20000129

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2004-11-24

    授权

    授权

  • 2004-11-24

    授权

    授权

  • 2004-11-24

    授权

    授权

  • 2002-06-05

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2002-06-05

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2002-06-05

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2001-08-08

    公开

    公开

  • 2001-08-08

    公开

    公开

  • 2001-08-08

    公开

    公开

查看全部

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号