首页> 中国专利> 一种TiO2纳米管三极型场发射电子源及其制备方法

一种TiO2纳米管三极型场发射电子源及其制备方法

摘要

本发明涉及一种TiO2纳米管三极型场发射电子源及其制备方法。所述TiO2纳米管三极型场发射电子源以垂直基底生长于阴极或栅极特定位置的TiO2纳米管为场发射阴极材料,其制备方法包括以下步骤:首先采用微接触印刷在平面基板的特定位置上均匀印刷ZnO籽晶层;然后采用水热法在印刷有ZnO籽晶层的位置上生长ZnO纳米棒;接下来以ZnO纳米棒为模板在其外围生长一层TiO2薄膜;最后将ZnO纳米棒顶端的TiO2薄膜刻蚀,并通过湿法刻蚀溶解掉ZnO纳米棒,在平面基板的电极形成TiO2纳米管。该方法制备的三极型场发射电子源器件,TiO2纳米管长径比高、且密度可控,性能良好。

著录项

  • 公开/公告号CN103972007B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-01-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 福州大学;

    申请/专利号CN201410215325.1

  • 申请日2014-05-21

  • 分类号H01J9/02(20060101);H01J1/304(20060101);

  • 代理机构35100 福州元创专利商标代理有限公司;

  • 代理人蔡学俊

  • 地址 350002 福建省福州市鼓楼区工业路523号

  • 入库时间 2022-08-23 09:34:13

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-01-27

    授权

    授权

  • 2014-09-03

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01J9/02 申请日:20140521

    实质审查的生效

  • 2014-08-06

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号