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引入了局部应力的LDMOS器件

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本发明涉及LDMOS器件。本发明公开了一种利用应力提高器件性能，并降低其不良影响的引入了局部应力的LDMOS器件。本发明的技术方案是，引入了局部应力的LDMOS器件，包括体衬底，在衬底上形成相互邻接的阱区和漂移区，在阱区和漂移区中分别形成源区和漏区，在源区和漂移区之间的阱区表面生长栅氧化层，在栅氧化层上生长多晶硅栅极，在源区和/或栅极表面覆盖薄膜，利用所述薄膜具有的本征应力，在LDMOS器件的沟道中引入应力。本发明基本上不会影响器件漂移区的带隙E

著录项

公开/公告号CN102544106B

专利类型发明专利
公开/公告日2016-01-27

原文格式PDF
申请/专利权人电子科技大学;
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申请/专利号CN201210038047.8
发明设计人王向展;郑良晨;曾庆平;于奇;
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申请日2012-02-20
分类号
代理机构成都虹桥专利事务所(普通合伙);
代理人李顺德
地址 610054 四川省成都市成华区建设北路二段四号
入库时间 2022-08-23 09:34:11

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-01-27

授权

授权
2012-09-05

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/78 申请日:20120220

实质审查的生效
2012-07-04

公开

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