一种三频高密度等离子体辅助磁控溅射薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种三频高密度等离子体辅助磁控溅射薄膜的制备方法，采用60MHz甚高频磁控溅射装置、通过13.56MHz射频线圈电感耦合放电和27.12MHz射频基片台放电增强的高密度等离子体制备薄膜。本发明公开的新的三频高密度等离子体磁控溅射薄膜制备方法，在溅射过程中利用三频放电获得高等离子体密度、高离子通量、宽离子能量，解决了现有技术中反应溅射时等离子体密度低、活性低的缺点，所得产物薄膜的成分与理论接近，性能符合实际要求，有利于先进薄膜工业化生产与应用。