可控高密度等离子体制备装置和石墨烯薄膜的制备方法

摘要

本发明涉及一种可控高密度等离子体制备装置，包括真空室、位于真空室中的上极板、正对上极板下方的下极板、电感线圈、真空抽气系统，上极板和下极板平行设置且间距可调，电感线圈位于上极板和下极板之间且其轴中心沿水平方向设置，上极板、电感线圈和下极板分别连接有第一电源、第二电源和第三电源，上极板上均布有若干小孔，下极板下表面还连接有加热器，真空室还开设有进气口，进气口内穿设有进气管，进气管与外部的气源连通。本发明可以实现大面积均匀、等离子体密度、离子通量、离子能量的独立调控的等离子体的制备过程，且可在碳化硅基片表面低温条件下制备石墨烯薄膜。