高密度等离子体增强非平衡磁控溅射沉积Cu膜研究

摘要

采用直流非平衡磁控溅射射频等离子体增强电离法在Si衬底上沉积了Cu膜,用扫描电镜(SEM)研究了沉积Cu膜的表面形貌并测得薄膜的厚度,用X射线衍射(XRD)研究了沉积Cu膜的结构,用电子能谱等对Cu膜进行了成分分析. 实验结果表明,在该条件下沉积的Cu膜致密,晶粒尺度在100～1 000 nm,膜基界面比较紧密,没有明显的空洞,并且Cu膜呈(111)织构. 通过实验,找到沉积Cu膜的最佳实验参数,并希望这一工艺能应用在集成电路中.