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一种用于非晶碳沉积工艺中的清洗方法

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本发明涉及一种用于非晶碳沉积工艺中的清洗方法，包括在等离子条件下对等离子腔体进行预清洗工艺步骤S1和对等离子腔体沉积环境保护薄膜工艺步骤S2；步骤S2具体包括将含有C

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公开/公告号CN103526177B

专利类型发明专利
公开/公告日2015-12-23

原文格式PDF
申请/专利权人上海华力微电子有限公司;
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申请/专利号CN201310461217.8
发明设计人雷通;桑宁波;贺忻;
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申请日2013-09-30
分类号
代理机构上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙);
代理人吴世华
地址 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号
入库时间 2022-08-23 09:32:43

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-12-23

授权

授权
2014-02-26

实质审查的生效 IPC(主分类):C23C16/26 申请日:20130930

实质审查的生效
2014-01-22

公开

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