首页> 中国专利> 一种高功率脉冲等离子体增强复合磁控溅射沉积装置及其使用方法

一种高功率脉冲等离子体增强复合磁控溅射沉积装置及其使用方法

摘要

本发明涉及薄膜材料技术领域,尤其涉及一种高功率脉冲等离子体增强复合磁控溅射沉积装置,包括真空室、磁控靶、工件架和旋转支座,磁控靶包括高功率脉冲磁控溅射靶和脉冲直流磁控靶,固定在真空室内,呈九十度对向设置,其磁场布局方式相反,形成闭合场;每个磁控靶的磁场布局方式都为非平衡磁场。本发明通过以上结构的实施方式,具有较好的磁场分布及离子镀效果,能够方便沉积出膜层结合力好、涂层致密、力学性能好、化学成分精确可控的优质涂层用于高速切削刀具。

著录项

  • 公开/公告号CN103668095B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-12-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 广东工业大学;

    申请/专利号CN201310729760.1

  • 发明设计人 王启民;王成勇;伍尚华;邹长伟;

    申请日2013-12-26

  • 分类号C23C14/35(20060101);

  • 代理机构44228 广州市南锋专利事务所有限公司;

  • 代理人刘媖

  • 地址 510006 广东省广州市番禺区广州大学城外环西路100号

  • 入库时间 2022-08-23 09:31:49

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-12-02

    授权

    授权

  • 2014-04-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/35 申请日:20131226

    实质审查的生效

  • 2014-03-26

    公开

    公开

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