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公开/公告号CN110295352A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-10-01
原文格式PDF
申请/专利权人 东北林业大学;
申请/专利号CN201810250398.2
发明设计人 李春伟;
申请日2018-03-23
分类号
代理机构
代理人
地址 150040 黑龙江省哈尔滨市香坊区和兴路26号
入库时间 2024-02-19 13:03:53
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-10-01
公开
机译: 高功率脉冲磁控溅射(HIPIMS)在多孔基体中进行深金属沉积,金属催化剂浸渍的多孔基质及其用途
机译: 用于控制磁场形成的单元和磁控溅射装置以及使用该单元的磁控溅射方法和能够执行均匀沉积度的磁控溅射装置
机译:电磁场协同增强钒涂层的高功率脉冲磁控溅射沉积
机译:高功率脉冲磁控溅射放电过程中外电和磁场之间的协同增强效果
机译:用于解释高沉积速率磁场配置的大功率脉冲磁控溅射模型
机译:高功率脉冲磁控溅射的更高电离和沉积速率通过外部磁场辅助
机译:用于互连金属化的高功率脉冲磁控溅射和调制脉冲功率溅射的比较。
机译:大功率脉冲磁控溅射镍薄膜的斜角沉积
机译:高功率脉冲磁控溅射和脉冲磁控溅射沉积氧化钇稳定氧化锆薄膜
机译:业余/军用无线电系统设备保护装置的电磁脉冲/瞬态威胁测试。第3卷。测试数据,保护装置的电磁脉冲测试。第3节低阻抗/高Vo