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公开/公告号CN110295352A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-10-01
原文格式PDF
申请/专利权人 东北林业大学;
申请/专利号CN201810250398.2
发明设计人 李春伟;
申请日2018-03-23
分类号
代理机构
代理人
地址 150040 黑龙江省哈尔滨市香坊区和兴路26号
入库时间 2024-02-19 13:03:53
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-10-01
公开
机译: 大功率脉冲磁控溅射物理气相沉积介电薄膜的脉冲直流源及其应用方法
机译: 高功率脉冲磁控溅射(HIPIMS)在多孔基体中进行深金属沉积,金属催化剂浸渍的多孔基质及其用途
机译:用于解释高沉积速率磁场配置的大功率脉冲磁控溅射模型
机译:高功率脉冲和偏置电压匹配的影响:高功率脉冲磁控溅射沉积的锡涂层
机译:磁场增强高功率脉冲磁控溅射法制备(AlTi)(x)N1-x薄膜的微观结构和力学性能
机译:高功率脉冲磁控溅射的更高电离和沉积速率通过外部磁场辅助
机译:用于互连金属化的高功率脉冲磁控溅射和调制脉冲功率溅射的比较。