在氧化生长侧壁衬层之前淀积沟槽填充氧化物的改进的沟槽隔离工艺

摘要

本发明一般涉及到制造半导体器件、晶片等用的沟槽隔离方法。更确切地讲，本发明涉及到用TEOS和臭氧的化学汽相淀积(CVD)法，在沟槽侧壁上生长热氧化层或衬层之前，淀积沟槽填充氧化物的方法。此方法在非垂直、垂直和/或凹腔剖面的间隙或沟槽中提供了无孔淀积的介电CVD膜。