法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-10-07
授权
授权
2014-04-02
实质审查的生效 IPC(主分类):C23C16/46 申请日:20131212
实质审查的生效
2014-03-05
公开
公开
机译: 用于在基板上沉积层的装置包括处理室,该处理室具有通过用于接收基板的加热装置加热的基座,气体入口元件,气体出口元件和向外布置的气密反应器壳体
机译: 用于在III-V族半导体的生产中使用的在衬底上沉积薄层的装置包括布置在反应器壳体中并具有由基座形成的基座的处理室,该基座用于容纳至少一个衬底
机译: 用于生产碳化硅单晶层的CVD反应器包括反应室,布置在反应室中的基座以及具有扩散器和均化单元的进气口