公开/公告号CN103137452B
专利类型发明专利
公开/公告日2015-10-14
原文格式PDF
申请/专利权人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;
申请/专利号CN201110382859.X
发明设计人 邵群;
申请日2011-11-25
分类号
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司;
代理人骆苏华
地址 201203 上海市浦东新区张江路18号
入库时间 2022-08-23 09:30:42
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-10-14
授权
授权
2013-07-10
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/28 申请日:20111125
实质审查的生效
2013-06-05
公开
公开
机译: 使用栅极高度对准工艺形成替代栅极结构以提高栅极高度均匀性的方法以及所得的集成电路产品
机译: 集成电路的晶体管中的金属栅极结构和形成方法(高级器件的金属替代栅极的结构和方法)
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