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在替代栅极结构上方形成栅极覆盖层的方法以及相关装置

摘要

本发明揭露在替代栅极结构上方形成栅极覆盖层的方法以及相关装置。在一示例中,本发明的装置包括具有凹入上表面的替代栅极结构,邻近该替代栅极结构的侧间隙壁以及位于该替代栅极结构上方的栅极覆盖层,其中,该栅极覆盖层的底部表面对应该替代栅极结构的该凹入上表面。

著录项

  • 公开/公告号CN103219368B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-04-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 格罗方德半导体公司;

    申请/专利号CN201310020347.8

  • 发明设计人 G·格拉斯霍夫;C·拉贝尔;

    申请日2013-01-18

  • 分类号

  • 代理机构北京戈程知识产权代理有限公司;

  • 代理人程伟

  • 地址 英属开曼群岛大开曼岛

  • 入库时间 2022-08-23 09:53:59

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-04-12

    授权

    授权

  • 2013-08-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/423 申请日:20130118

    实质审查的生效

  • 2013-07-24

    公开

    公开

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