公开/公告号CN103219368B
专利类型发明专利
公开/公告日2017-04-12
原文格式PDF
申请/专利权人 格罗方德半导体公司;
申请/专利号CN201310020347.8
申请日2013-01-18
分类号
代理机构北京戈程知识产权代理有限公司;
代理人程伟
地址 英属开曼群岛大开曼岛
入库时间 2022-08-23 09:53:59
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-04-12
授权
授权
2013-08-21
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/423 申请日:20130118
实质审查的生效
2013-07-24
公开
公开
机译: 在替代栅极结构上方形成栅极盖层的方法
机译: 在替换栅极结构上方形成栅极盖层的方法以及包括这种栅极结构和盖层的半导体器件
机译: 使用栅极高度对准工艺形成替代栅极结构以提高栅极高度均匀性的方法以及所得的集成电路产品