首页> 中国专利> 一种横向集成SOI半导体功率器件

一种横向集成SOI半导体功率器件

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种具有n

著录项

公开/公告号CN103489865B

专利类型发明专利
公开/公告日2015-10-21

原文格式PDF
申请/专利权人电子科技大学;
展开▼

申请/专利号CN201310421629.9
发明设计人乔明;李燕妃;胡利志;吴文杰;许琬;蔡林希;陈涛;张波;
展开▼

申请日2013-09-16
分类号
代理机构成都宏顺专利代理事务所(普通合伙);
代理人李顺德
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
入库时间 2022-08-23 09:30:14

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-10-21

授权

授权
2014-02-05

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/088 申请日:20130916

实质审查的生效
2014-01-01

公开

公开

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 一种横向集成SOI半导体功率器件 [P] . 中国专利： CN103489865B . 2015.10.21
2. 一种横向SOI功率半导体器件 [P] . 中国专利： CN103441147B . 2016.01.20
3. Power semiconductor switching devices, power converters, integrated circuit assemblies, integrated circuitry, power current switching methods, methods of forming a power semiconductor switching device, power conversion methods, power semiconductor switching device packaging methods, and methods of forming a power transistor [P] . 美国专利： US7019337B2 . 2006-03-28

机译：功率半导体开关器件，功率转换器，集成电路组件，集成电路，功率电流开关方法，形成功率半导体开关器件的方法，功率转换方法，功率半导体开关器件封装方法以及形成功率晶体管的方法
4. Power semiconductor switching devices, power converters, integrated circuit assemblies, integrated circuitry, power current switching methods, methods of forming a power semiconductor switching device, power conversion methods, power semiconductor switching device packaging methods, and methods of forming a power transistor [P] . 美国专利： US2004135168A1 . 2004-07-15

机译：功率半导体开关器件，功率转换器，集成电路组件，集成电路，功率电流开关方法，形成功率半导体开关器件的方法，功率转换方法，功率半导体开关器件封装方法以及形成功率晶体管的方法
5. Power semiconductor switching devices, power converters, integrated circuit assemblies, integrated circuitry, power current switching methods, methods of forming a power semiconductor switching device, power conversion methods, power semiconductor switching device packaging methods, and methods of forming a power transistor [P] . 美国专利： US2002195662A1 . 2002-12-26

机译：功率半导体开关器件，功率转换器，集成电路组件，集成电路，功率电流开关方法，形成功率半导体开关器件的方法，功率转换方法，功率半导体开关器件封装方法以及形成功率晶体管的方法