公开/公告号CN103199156B
专利类型发明专利
公开/公告日2015-10-21
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;
申请/专利号CN201310109012.3
申请日2013-03-29
分类号H01L31/18(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人曹玲柱
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2022-08-23 09:30:09
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-06-01
著录事项变更 IPC(主分类):H01L31/18 变更前: 变更后: 申请日:20130329
著录事项变更
2015-10-21
授权
授权
2013-08-07
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/18 申请日:20130329
实质审查的生效
2013-07-10
公开
公开
机译: 将晶片到晶片键合装置,晶片到晶片键合系统,以及晶片到晶片键合方法
机译: 将晶片到晶片键合装置,晶片到晶片键合系统,以及晶片到晶片键合方法
机译: 具有Si / SiGe / Si有源层的绝缘体上半导体(SOI)晶片以及使用晶片键合的制造方法