4 in InSb晶片加工技术研究

摘要

在红外探测领域,InSb材料已经大规模地被用于制造3～5μm波长范围的焦平面阵列探测器.对更大规模、更高性能探测器的需求日益增长,而该类探测器需要在更大尺寸、更高质量的晶片上制备.所以,对4 in InSb晶片加工技术进行了研究.通过优化研磨、抛光工艺参数,最终获得总厚度偏差小于等于10 μm、翘曲度小于等于20 μm、表面粗糙度小于1 nm、表面质量优的4 inInSb晶片,提高了加工效率,能够满足大规模高质量红外焦平面探测器的使用需求.