InSb晶片的表面状态参数研究

摘要

随着InSb红外探测器的不断发展,像元数不断增加,线宽不断减小;在采用外延工艺生长衬底时,人们对InSb晶片表面状态的要求也越来越高.主要讨论了InSb晶片的表面状态参数及其相关的测试方法,列举了一些相关标准以及国内外厂家和研究机构对表面状态参数的关注点,并找到了下一步的研发方向.该研究为生产更大规格的焦平面探测器、提高探测器性能的稳定性以及给外延生长提供优质衬底打好了基础.