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柏伟; 赵超; 龚志红;
华北光电技术研究所,北京100015;
空军驻华北地区军事代表室,北京100086;
InSb; 切割; 研磨; 抛光; 损伤层;
机译:化学机械抛光的InSb(100)和InSb(111)B衬底上同质外延层的分子,束外延和形态研究
机译:机械加工后等离子刻蚀法研究硅晶片变形层结构
机译:第一InSb层的沉积条件对通过InSb双层两步生长法生长的n型InSb薄膜电性能的影响
机译:用化学机械抛光法研究晶片的损伤层特性
机译:InAs / GaInSb和InAsN / GaInSb应变层超晶格带隙的理论模拟。
机译:在中红外光谱范围内通过全晶片光致发光映射探测II型InAs / GaInSb W形量子阱的亚单层均匀性
机译:第一Insb层沉积条件对两步生长法制备的n型Insb薄膜电性能的影响Insb双层膜
机译:Insb和Inas(sub 0.15)sb(sub 0.85)/ Insb应变层超晶格的氯反应离子束蚀刻。
机译:InSB半导体晶片表面处理层变薄的消除方法
机译:InSB半导体晶片表面工作影响层的测量方法
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