InSb晶片损伤层深度的测试方法

摘要

本发明公开了一种InSb晶片损伤层深度的测试方法，所述方法包括：测量InSb晶片的重量M以及厚度H；在InSb晶片的第一面设置隔离膜，并测量具有隔离膜的InSb晶片的重量M1；对具有隔离膜的InSb晶片进行腐蚀，并对腐蚀后的InSb晶片进行半峰宽测试；当半峰宽测试值趋于稳定，测量半峰宽测试值趋于稳定的InSb晶片的重量M2，并根据h＝(M1‑M2)×H/M计算InSb晶片损伤层深度h。采用本发明，通过对InSb晶片进行腐蚀，利用半峰宽值与损伤层剥离深度的关系来定量的测定的损伤层的深度，从而实现InSb晶片中包含应力层在内的损伤层的定量测定，以满足后续各个工艺所要求的InSb晶片最优去除量，提高InSb晶片材料的利用率和加工效率，获得无损伤的InSb晶片、为提升红外探测器的性能提供了理论依据和科学指导。