形成开口于一高分子型介电层中的方法及其结构

摘要

一种形成一开口于一高分子型介电层中的方法。此方法包括提供一基底，此基底上已形成有一导电结构层，一高分子型介电层。进行一热制造工艺以均匀硬化此高分子型介电层。形成一掩模层于基底上。定义掩模层及高分子型介电层以形成一开口，其中开口暴露出此高分子型介电层的一表面。进行一局部硬化制造工艺，将高分子型介电层被开口暴露的表面局部硬化。其中局部硬化制造工艺，包括利高能量光，电子束或离子束的照射源，进行局部硬化。