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公开/公告号CN102916018B
专利类型发明专利
公开/公告日2016-12-14
原文格式PDF
申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;
申请/专利号CN201110350734.9
发明设计人 林政贤;杨敦年;刘人诚;王文德;蔡双吉;林月秋;
申请日2011-11-08
分类号
代理机构北京德恒律师事务所;
代理人陆鑫
地址 中国台湾新竹
入库时间 2022-08-23 09:49:39
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-12-14
授权
2013-03-20
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/146 申请日:20111108
实质审查的生效
2013-02-06
公开
机译: 在介电层的双开口中形成的焊盘结构
机译:介电层/薄金属薄膜/介电层结构的传输特性,或者在介电层中的周期性
机译:球形金属氧化物纳米粒子形成介电层的金属-介电-金属结构的电导率
机译:在包含介电层的结构中形成的van逝贝塞尔光束的特征
机译:焊盘结构对铜线键合中焊盘/低K层应力影响的动态研究
机译:使用介电常数化学和原子层沉积技术,在高介电常数薄膜和III-V化合物半导体之间形成界面。
机译:激光诱导的氧化物层在激光诱导的周期性表面结构形成中的作用
机译:在介电层中具有或不周期性的介电层/薄金属薄膜/介电层结构的传输特性
机译:太阳能气氛中mg(I)4571 a的形成。 V.光球层和低色层的多维结构。