法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2008-10-08
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2004-12-29
授权
授权
2000-07-12
实质审查请求的生效
实质审查请求的生效
1999-04-14
公开
公开
机译: 使用通过直接写电子束光刻形成的亚微米硅化物结构来制造用于极端紫外线和深紫外线光刻的掩模的方法
机译: 激光刻印的层状结构和激光刻印的层状结构
机译: 具有施加在具有投影物镜的用于微光刻的投影曝光装置空基板上的层状结构,以及具有反射镜和反射镜的用于微光刻的那种投影物镜。