用选择性外延淀积制造应变硅CMOS结构的方法

摘要

制作了一种应变硅CMOS结构，其制作步骤包括：在衬底表面上制作SiGe弛豫层；在所述SiGe弛豫层中制作隔离区和阱注入区；以及在所述SiGe弛豫层上制作应变硅层。这些工艺步骤可以结合常规的栅工艺步骤用在应变MOSFET结构的制作过程中。