机译:应变硅的选择性外延沉积:一种简单而有效的方法来制造高性能MOSFET器件
IMEC vzw, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium;
SiGe; strained silicon; strain relaxed buffer; chemical vapor deposition; selective growth; carbon; nMOS devices;
机译:在局部应变pMOSFET中进行选择性外延SiGe生长的有效表面处理
机译:利用$ hbox {HfO} _ {2} $栅极电介质通过多沉积室温多退火工艺制造的MOSFET的器件性能和可靠性提高
机译:具有选择性外延生长的50 nm高性能应变SiGe pMOSFET的制造
机译:(选择性)应变硅的外延生长以制造低成本和高性能的CMOS器件
机译:硅锗/硅垂直MOSFET和侧壁应变硅器件:设计和制造。
机译:通过简单的转移印刷方法在各种基板上制造纳米线器件
机译:对各种(001)Si凹陷结构上应变SiGe P-MOSFET的选择性外延生长的影响