焊球上应力减小的晶圆级芯片规模封装件

摘要

结构包含位于半导体衬底上方的金属焊盘、具有位于该金属焊盘上方的部分的钝化层和位于该钝化层上方的第一聚酰亚胺层，其中该第一聚酰亚胺层具有第一厚度和第一杨氏模量。钝化后互连件(PPI)包括位于第一聚酰亚胺层上方的第一部分和延伸至钝化层和第一聚酰亚胺层内的第二部分。将PPI电连接至金属焊盘。第二聚酰亚胺层位于PPI上方。该第二聚酰亚胺层具有第二厚度和第二杨氏模量。厚度比和杨氏模量比中的至少一种大于1.0，其中厚度比是第一厚度与第二厚度的比值，以及杨氏模量比是第二杨氏模量与第一杨氏模量的比值。本发明还提供一种焊球上应力减小的晶圆级芯片规模封装件。