首页> 中国专利> 一种减少硅通孔电镀铜后晶圆表面过电镀的方法

一种减少硅通孔电镀铜后晶圆表面过电镀的方法

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

本发明涉及一种减少硅通孔电镀铜后晶圆表面过电镀的方法，属于晶圆级电镀铜填孔技术领域。其在晶圆表面依次做完垂直硅通孔刻蚀、绝缘层、铜扩散阻挡层和铜种子层之后，于电镀填充铜工艺之前，在晶圆表面和垂直硅通孔孔口处再做一层特殊层，所述特殊层材质为金属Ta、V、Ti、Al、Fe或非金属TiN、TaN、AlN。所述特殊层在垂直硅通孔孔口处的高度不大于在晶圆表层的绝缘层、铜扩散阻挡层和铜种子层三者厚度之和。本发明工艺简单，可有效阻挡表层的铜沉积，减轻CMP负担，降低成本。

著录项

公开/公告号CN103258810B

专利类型发明专利
公开/公告日2015-07-08

原文格式PDF
申请/专利权人华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;
展开▼

申请/专利号CN201310173844.1
发明设计人于大全;伍恒;程万;
展开▼

申请日2013-05-10
分类号H01L23/538(20060101);H01L21/768(20060101);
代理机构32104 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙);
代理人殷红梅
地址 214135 江苏省无锡市无锡国家高新技术产业开发区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋
入库时间 2022-08-23 09:27:27

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-12-20

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 23/538 登记生效日:20191203 变更前: 变更后: 申请日:20130510

专利申请权、专利权的转移
2017-09-05

专利权的转移 IPC(主分类):H01L23/538 登记生效日:20170817 变更前: 变更后: 申请日:20130510

专利申请权、专利权的转移
2017-09-05

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 23/538 登记生效日:20170817 变更前: 变更后: 申请日:20130510

专利申请权、专利权的转移
2015-07-08

授权

授权
2015-07-08

授权

授权
2015-07-08

授权

授权
2014-04-30

专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L23/538 变更前: 变更后: 登记生效日:20140409 申请日:20130510

专利申请权、专利权的转移
2014-04-30

专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 23/538 变更前: 变更后: 登记生效日:20140409 申请日:20130510

专利申请权、专利权的转移
2014-04-30

专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 23/538 变更前: 变更后: 登记生效日:20140409 申请日:20130510

专利申请权、专利权的转移
2013-09-18

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L23/538 申请日:20130510

实质审查的生效
2013-09-18

专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L23/538 变更前: 变更后: 登记生效日:20130829 申请日:20130510

专利申请权、专利权的转移
2013-09-18

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/538 申请日:20130510

实质审查的生效
2013-09-18

专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 23/538 变更前: 变更后: 登记生效日:20130829 申请日:20130510

专利申请权、专利权的转移
2013-09-18

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/538 申请日:20130510

实质审查的生效
2013-09-18

专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 23/538 变更前: 变更后: 登记生效日:20130829 申请日:20130510

专利申请权、专利权的转移
2013-08-21

公开

公开
2013-08-21

公开

公开
2013-08-21

公开

公开

查看全部

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 一种减少硅通孔电镀铜后晶圆表面过电镀的方法 [P] . 中国专利： CN103258810B . 2015.07.08
2. 一种减少硅通孔电镀铜后表面过电镀的待镀样片 [P] . 中国专利： CN203300641U . 2013-11-20
3. METHOD OF INSPECTING BACK SURFACE OF EPITAXIAL WAFER, EPITAXIAL WAFER BACK SURFACE INSPECTION APPARATUS, METHOD OF MANAGING LIFT PIN OF EPITAXIAL GROWTH APPARATUS, AND METHOD OF PRODUCING EPITAXIAL WAFER [P] . 美国专利： US2020072762A1 . 2020-03-05

机译：表皮晶圆的后表面的检查方法，表皮晶圆的后表面检查装置，表皮生长装置的顶针的管理方法以及表皮晶圆的制造方法
4. Copper chip-to-chip in a through-silicon via (TSV) using a heated substrate and the cooled electrolyte, a method for electrodeposition of interconnection of the chip-to-wafer and wafer-to-wafer [P] . 日本专利： JP5683698B2 . 2015-03-11

机译：使用加热的基板和冷却的电解液的硅通孔（TSV）中的铜芯片到芯片，电沉积芯片到晶圆和晶圆到晶圆的互连的方法
5. PROCESS FOR ELECTRODEPOSITION OF COPPER CHIP TO CHIP CHIP TO WAFER AND WAFER TO WAFER INTERCONNECTS IN THROUGH-SILICON VIAS (TSV), WITH HEATED SUBSTRATE AND COOLED ELECTROLYTE [P] . 欧洲知识产权局专利： EP2611950B1 . 2013-11-13

机译：通过加热的基质和熔融电解质在铜硅通孔（TSV）中电解沉积铜芯片到晶片以进行晶圆和晶圆对晶圆互连的方法