公开/公告号CN102723277B
专利类型发明专利
公开/公告日2015-05-20
原文格式PDF
申请/专利权人 万国半导体股份有限公司;
申请/专利号CN201210198156.6
申请日2010-08-27
分类号H01L21/336(20060101);H01L29/78(20060101);H01L29/10(20060101);
代理机构31272 上海申新律师事务所;
代理人竺路玲
地址 美国加利福尼亚州桑尼维尔奥克米德大道475号
入库时间 2022-08-23 09:25:59
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-06-12
专利权的转移 IPC(主分类):H01L21/336 登记生效日:20200525 变更前: 变更后: 申请日:20100827
专利申请权、专利权的转移
2015-05-20
授权
授权
2015-05-20
授权
授权
2012-12-05
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/336 申请日:20100827
实质审查的生效
2012-12-05
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20100827
实质审查的生效
2012-10-10
公开
公开
2012-10-10
公开
公开
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机译: 具有厚的底部屏蔽氧化物的沟槽DMOS器件的制造
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