公开/公告号CN104701182A
专利类型发明专利
公开/公告日2015-06-10
原文格式PDF
申请/专利权人 万国半导体股份有限公司;
申请/专利号CN201510095206.1
申请日2010-08-27
分类号
代理机构上海申新律师事务所;
代理人吴俊
地址 美国加利福尼亚州桑尼维尔奥克米德大道475号
入库时间 2023-12-18 09:18:47
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-03-16
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/336 申请公布日:20150610 申请日:20100827
发明专利申请公布后的视为撤回
2015-07-08
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/336 申请日:20100827
实质审查的生效
2015-06-10
公开
公开
机译: 具有厚的底部屏蔽氧化物的沟槽DMOS器件的制造
机译: 具有厚的底部屏蔽氧化物的沟槽DMOS器件的制造
机译: 垂直半导体器件,即垂直双扩散金属氧化物半导体功率晶体管的制造方法,涉及在正面形成沟槽,并使用该沟槽作为厚度准则来控制晶片减薄