首页> 中国专利> ZnO-SnO2-In2O3类氧化物烧结体及非晶质透明导电膜

ZnO-SnO2-In2O3类氧化物烧结体及非晶质透明导电膜

摘要

一种氧化物烧结体的制造方法,其包括:(a)将含有Zn、Sn及In的原料化合物粉末混合制备混合物的工序,(b)将上述混合物成形,制备成形体的工序,(c)将上述成形体在1000℃以上且不足1300℃的温度中烧结0小时以上的工序,及(d)将上述烧结的成形体进一步在1300℃以上且不足1500℃的温度中烧结2小时以上的工序。

著录项

  • 公开/公告号CN102216237B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-05-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 出光兴产株式会社;

    申请/专利号CN200980146255.6

  • 发明设计人 宇都野太;井上一吉;后藤健治;

    申请日2009-11-09

  • 分类号C23C14/08(20060101);C23C14/34(20060101);C04B35/457(20060101);C04B35/453(20060101);H01B5/14(20060101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人蒋亭

  • 地址 日本国东京都

  • 入库时间 2022-08-23 09:25:51

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-05-13

    授权

    授权

  • 2011-11-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/457 申请日:20091109

    实质审查的生效

  • 2011-10-12

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号