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ZnO SnO2 In2O3 oxide sintering body and amorphous transparent electric conduction film

机译:ZnO SnO2 In2O3氧化物烧结体及非晶质透明导电膜

摘要

(A) Mixing the raw materials chemical compound powder including Zn, Sn and In, the process which prepares the blend, (b) the aforementioned blend forming, the process which prepares the compact, (c) aforementioned compact the process 0 hours or more sintering under the 1300 above the 1000 , and (d) aforementioned the compact sintering furthermore it includes the process 2 hours or more sintering under the 1500 above the 1300 , production manner of the oxide sintering body.
机译:(A)将包含Zn,Sn和In的原料化合物粉末混合,制备共混物的过程,(b)上述共混物形成的过程,制备压坯的过程,(c)上述压坯的过程0小时以上(1000)在1300以上的温度下进行烧结,以及(d)上述的紧凑烧结,其进一步包括在1300以上的温度下在1500以下进行2小时或更长时间的烧结的方法,氧化物烧结体的生产方式。

著录项

  • 公开/公告号JPWO2010058533A1

    专利类型

  • 公开/公告日2012-04-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 出光興産株式会社;

    申请/专利号JP20100539126

  • 发明设计人 後藤 健治;宇都野 太;井上 一吉;

    申请日2009-11-09

  • 分类号C04B35/457;C04B35/453;C23C14/34;C23C14/08;H01B5/14;H01B13/00;H01B1/08;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 17:36:06

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