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用于硅通孔的ESD/天线二极管

摘要

概括地说,在围绕TSV的禁止区内至少部分地形成天线二极管,并且通过金属1层导体将其连接到所述TSV,同时将所述TSV连接到放置在所述禁止区外的一个或多个晶体管的扩散区或栅极多晶硅。

著录项

  • 公开/公告号CN102598254B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-04-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 新思科技有限公司;

    申请/专利号CN200980162252.1

  • 申请日2009-10-30

  • 分类号H01L23/48(20060101);H01L27/02(20060101);

  • 代理机构11256 北京市金杜律师事务所;

  • 代理人王茂华;董典红

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 09:24:57

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-04-15

    授权

    授权

  • 2012-09-19

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/48 申请日:20091030

    实质审查的生效

  • 2012-07-18

    公开

    公开

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