公开/公告号CN102760700B
专利类型发明专利
公开/公告日2015-03-25
原文格式PDF
申请/专利权人 南亚科技股份有限公司;
申请/专利号CN201110165411.2
申请日2011-06-14
分类号
代理机构北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司;
代理人余朦
地址 中国台湾桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号
入库时间 2022-08-23 09:24:30
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-03-25
授权
授权
2012-12-26
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8234 申请日:20110614
实质审查的生效
2012-10-31
公开
公开
机译: 用于DRAM的CMOS集成电路器件的自对准接触形成方法,包括通过沉积难熔金属以形成金属硅化物区域,使在衬底中形成的接触区域经受硅化物处理。
机译: 通过选择性地刻蚀绝缘层以扩大与半导体区域相邻的自对准接触面积并在集成电路器件中形成的接触来在集成电路器件中形成接触孔的方法
机译: 半导体装置的自对准接触结构的形成方法以及以该自对准接触结构形成的自对准接触结构