公开/公告号CN102376750B
专利类型发明专利
公开/公告日2015-04-08
原文格式PDF
申请/专利权人 NXP股份有限公司;
申请/专利号CN201110230833.3
申请日2011-08-12
分类号H01L29/06(20060101);H01L29/78(20060101);H01L29/40(20060101);H01L21/336(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人王波波
地址 荷兰艾恩德霍芬
入库时间 2022-08-23 09:24:17
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-05-10
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 29/06 变更前: 变更后: 申请日:20110812
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2016-10-12
专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/06 登记生效日:20160913 变更前: 变更后: 申请日:20110812
专利申请权、专利权的转移
2015-04-08
授权
授权
2012-04-25
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20110812
实质审查的生效
2012-03-14
公开
公开
机译: 具有边缘端接结构的半导体器件,包括高浓度区和低浓度区
机译: 电容器包括具有介电层的基板,介于其间的是电极,该电极包括中央有源区和边缘区,边缘区通过带有薄桥连接的中间区与之相连,触点安装在边缘区上
机译: 包括边缘端接的碳化硅功率半导体器件及制造所述边缘端接的方法