机译:4H-SiC-多浮区连接端接扩展中高压器件的新型边缘端接技术
Future Renewable Electric Energy Delivery and Management Systems Center, North Carolina State University, Raleigh, NC, USA;
4H-SiC; Edge termination; PiN diode; junction termination extension (JTE);
机译:斜面结终止扩展— 4H-SiC高压器件的新型边缘终止技术
机译:4500V 4H-SiC器件的近乎理想的边缘端接技术:混合结端接扩展
机译:高压4H-SiC器件的高性能平滑锥形结终端扩展
机译:具有多个浮区结扩展的高压4H-SiC GTO晶闸管
机译:新型边缘端接技术的发展及其在碳化硅功率器件中的应用。
机译:具有氩注入边缘端接的高压β-Ga2O3肖特基二极管
机译:高压4H-SiC PiN二极管结终端结构的仿真和实验研究