公开/公告号CN104701357B
专利类型发明专利
公开/公告日2017-09-08
原文格式PDF
申请/专利权人 万国半导体股份有限公司;
申请/专利号CN201410716370.5
发明设计人 卡西克·帕德马纳班;马督儿·博德;
申请日2014-12-02
分类号H01L29/06(20060101);H01L29/772(20060101);H01L21/335(20060101);
代理机构31249 上海信好专利代理事务所(普通合伙);
代理人张静洁;包姝晴
地址 美国加利福尼亚94085桑尼维尔奥克米德公园道475
入库时间 2022-08-23 10:00:24
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-05-19
专利权的转移 IPC(主分类):H01L29/06 登记生效日:20200428 变更前: 变更后: 申请日:20141202
专利申请权、专利权的转移
2017-09-08
授权
授权
2017-09-08
授权
授权
2015-07-08
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/06 申请日:20141202
实质审查的生效
2015-07-08
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20141202
实质审查的生效
2015-07-08
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20141202
实质审查的生效
2015-06-10
公开
公开
2015-06-10
公开
公开
2015-06-10
公开
公开
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机译: 沟道晶体管致密的沟槽晶体管具有半导体本体,在其中形成了多个单元场沟槽,并且在沟槽的台面区域中提供了源极区,本体区和本体接触区。
机译: 通过金属捆扎式保护环沟槽缩短到主体区域的端接设计,以缩小端接面积
机译: 通过金属捆扎式保护环沟槽缩短到主体区域的端接设计,以缩小端接面积